Samsung розробила NAND‑пам’ять, яка споживає на 96% менше енергії

Компанія Samsung повідомила про створення нового типу флеш-пам’яті NAND, яка здатна зменшувати споживання енергії на 96% у порівнянні з традиційними рішеннями. Про цепишекорейське видання Sedaily. Розробка базується на використанні фероелектричних транзисторів, що дозволило досягти рекордних показників енергоефективності.
Samsung повідомила, що стаття про нову технологію, співавторами якої є 34 дослідники Інституту передових технологій Samsung (SAIT), була опублікована в науковому журналі Nature під назвою “Фероелектричний транзистор для енергоефективної флеш-пам’яті NAND”.
Початково робота велася над оксидними напівпровідниками, які вважалися непридатними для високопродуктивних чипів через високий пороговий рівень напруги. Водночас саме ця особливість стала ключем до зниження енергоспоживання при збільшенні кількості шарів і ємності пам’яті.
У NAND‑структурі дані зберігаються в комірках, які з’єднані послідовно. Зі зростанням кількості комірок підвищується споживання енергії, зокрема через витік струму навіть після вимкнення комірки. Крім того, збільшення висоти шарів призводить до додаткових витрат енергії під час операцій читання та запису. Нова технологія дозволяє блокувати струми нижчі за порогову напругу, що зменшує витоки і підвищує енергоефективність, як заявлено, на 96%.
Ця новітня розробка покликана вирішити проблему зростання енергоспоживання в умовах стрімкого збільшення потреб у пам’яті для смартфонів, центрів обробки даних ШІ та інших технологічних застосувань. У матеріалі зазначається, що технологія може стати важливим кроком для галузі, однак терміни її комерціалізації поки невідомі.
Зазначається, що нова NAND‑пам’ять після запуску у масове виробництво має потенціал значно розширити можливості енергоефективних рішень для всіх.